雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，新布成為未來 NAND 重要發展方向之一，力士代妈公司雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash
，制定準開但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，記局何不給我們一個鼓勵

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SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），新布

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，代妈应聘机构雖然存取延遲略遜於純 DRAM
，HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力 ，

• Sandisk and 代妈费用多少SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory,【代妈招聘】 a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

文章看完覺得有幫助，但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中 ，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成
，使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的代妈机构 8~16 倍 ，為記憶體市場注入新變數 。低延遲且高密度的【代妈官网】互連。有望快速獲得市場採用。並有潛力在特定應用補足甚至改變現有記憶體配置格局 。

HBF 最大的突破，

（Source ：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的 BiCS NAND 與 CBA 技術，而是引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層
，【代妈助孕】同時保有高速讀取能力。